简 历：李祥高 天津大学长聘教授、博士生导师。化工学院精细化工系主任, 天津市功能精细化学品技术工程中心主任，“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组专家。从事有机光电子材料的设计、合成、性能及器件的工业化技术研究。主持过多项863计划、国家自然科学基金和天津市科技计划项目。发表研究论文100余篇，获授权国家发明专利30余件，获2015年度天津市科技进步一等奖。
题 目：柔性OLED显示中的空穴传输材料
摘 要： 空穴传输材料（HTM）是制备有机电致发光（OLED）显示器件的重要功能材料之一，其物理与化学性质对器件的显示性能和稳定性有着重要影响。报告将系统介绍课题组近年在含三苯胺、联苯二胺、咔唑环、螺芴环，以及反应性基团等的空穴传输材料的分子结构设计、合成与性能等方面的研究进展。针对柔性显示器件制备技术，系统研究了HTM分子结构与其空穴迁移率、HOMO能级、Eg、玻璃化温度、结晶性和热稳定性等的关系，获得了高性能的空穴传输材料。通过对OLED器件结构的设计与优化，深入研究了HTM的迁移率和能级调控等对空穴注入效率和发光效率的影响。针对OLED的印刷制备工艺，设计合成了多种具有热交联反应性质、高度稳定的空穴传输材料单体及空穴传输薄膜，得到了优异的显示效果。

简 历：吕文中，华中科技大学教授，教育部新世纪优秀人才,光学与电子信息学院副院长。主要研究电子信息材料及相关元器件如微波介质材料、微波天线、滤波器等，发表学术论文200余篇，出版《电子材料物理》教材一部。
题 目：微波介质材料在下一代通信技术中的机遇与挑战
摘 要：目前，电子元器件正向着微型化、集成化、绿色化方向发展。为满足下一代通信技术的发展需求，结合毫米波SIC天线及滤波器设计实例，重点分析了微波PCB 板、高Q值微波介质陶瓷、低损耗LTCC材料面临的机遇和挑战，并探讨了利用3D打印技术制备天线透镜的可行性。

简 历：邓涛，上海交通大学材料科学与工程学院“致远”讲席教授，科技部十三五材料重点专项专家，Chemical Reviews 副主编，1996年本科毕业于中国科学技术大学，2001年博士毕业于美国哈佛大学，主要研究领域为仿生能源材料和热能材料的制备及功能研究，学术论文发表于包括Science, Nature子刊，PNAS，Advanced Materials，JACS等杂志。
题 目：应用于电子器件的高导热复合材料及器件
摘 要：随着基于第三代半导体材料（如GaN、GaAs等）的先进电子器件的功能性、集成度、功率密度的持续提高，势必会造成器件运行所产生废热的高空间密度。电子封装材料是电子器件热管理的关键，金属基复合材料综合吸收各复合组元性能的优点，成为了代替传统电子封装材料的最佳选择之一。基于金属基复合材料设计新型热传导器件并实现与高功率电子器件的应用集成是未来高性能散热器件发展的方向。金属基复合材料的气液相变器件的研究属于多学科、多领域的协同探索，本报告会着重介绍前沿交叉领域的热传输气液相变高导热器件的最新研究进展及其在高功率电子器件封装系统的应用，包括构筑多级通道材料，金属基材料表面微纳米结构，并化学修饰微纳米结构表面，以及针对中高温电子芯片的先进热管理材料的探索及应用。

简 历：段炼，清华大学化学系教授。2003年毕业于清华大学化学系，获理学博士学位。主要从事有机光电材料相关领域研究，发表论文200余篇，获授权国际国内专利80余件。作为第二完成人, 获2011年国家技术发明一等奖。2015年获国家自然科学基金委员会杰出青年基金资助。
题 目：有机发光的新机制、新材料与理论探索
摘 要：有机发光显示（OLED）技术发展迅速，有望成为新一代主流的显示技术。我们围绕有机发光显示的新机制、新材料开展了长期的研究，近期主要进展包括：1、提出了热活化敏化发光的新型发光机制，利用热活化延迟荧光（TADF）材料作为主体敏化传统的发光材料，制备了低电压、高效率、低效率滚降、长寿命的OLED器件，为发展高性能的OLED技术提供了创新思路和方法；2、发展了多种高稳定性的有机发光材料。在TADF蓝光材料研究中，提出引入大位阻基团抑制三线态淬灭的设计思路，大幅度提高材料效率和稳定性。3、发展了高性能的自由基注入、传输材料，制备了高性能的光电器件，为解决有机光电器件的注入难题提供了新思路。

简 历：郝华，武汉理工大学材料科学与工程学院教授。入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”。主要研究方向为功能陶瓷及其元器件的研究，涉及无铅压电陶瓷以及高性能电容器瓷料制备与研究。
题 目：BaTiO3基宽温介电稳定材料设计与性能研究
摘 要：多层陶瓷电容器(MLCCs)是发展最快、用量最大的一种电子元件，以宽温（-55℃~200℃）BaTiO3基钙钛矿材料以及MLCC对电介质的介电性能稳定性要求为背景，通过制备超细BaTiO3颗粒，化学包覆等工艺制备核壳结构介电材料，分析并对比不同粒径，烧结条件等对壳层组份分布以及介电性能的影响，建立兼顾高介电常数（1000~2000）和宽温度稳定性(ΔC/C≤±15％，-55~200℃)的控制方法。以BaTiO3基以及钙钛矿体系电介质为研究对象，围绕电介质温度稳定性、耐压特性及元器件研制所涉及的影响因素开展研究。采用有限元ANSYS软件对多层陶瓷电容器内部电场模拟，设计并制备了多层陶瓷电容器器件并表征器件的介电性能，为新一代高性能宽温电容器提供科学依据。

简 历：赖占平，中国电子科技集团公司材料领域首席科学家。中央军委装备发展部先进材料专业组成员、军委科技委国防科技创新特区材料主题组成员，国防科技工业科技委军事电子领域组委员、军工配套领域专业组成员。主要研究方向为电子功能材料。
题 目：第四代半导体材料研究进展
摘 要：半导体材料主要用于制备先进的微电子器件和光电子器件，是电子信息产业和武器装备信息化的物质基础。半导体材料目前发展到第三代，处于基础研究前沿的第四代半导体材料主要指禁带宽度大于4.5电子伏特的超宽禁带半导体材料，包括氮化铝、金刚石、氧化镓单晶等，由于这些材料所固有的优越的物理性能，预计将在微波大功率器件、高性能的电力电子器件、日盲紫外探测器件、固态紫外激光器、紫外LED等领域具有重要应用。本报告介绍了几种主要超宽禁带半导体材料的性能、国内外研究进展、下一步需要解决的主要问题等。

简 历：林媛，电子科技大学教授。入选教育部“长江学者特聘教授”、中组部“万人计划科技创新领军人才”，并获国家杰出青年科学基金资助。现任中国青年科协材料专委会委员、《半导体学报》编委、《硅酸盐学报》编委。主要研究方向为氧化物薄膜材料及可延展柔性无机薄膜电子器件。
题 目：基于氧化物薄膜的可延展柔性传感器
摘 要：氧化物由于其特殊的多场耦合特性，在传感器领域有着重要的应用。近年来，随着信息科学与生命、医学等领域的高度交叉融合，对可延展柔性电子器件的需求日益凸显。将氧化物器件可延展柔性化，将极大地拓展这类器件在新领域中的应用。另一方面，由于氧化物的电学、光学等物理性能常常与应力应变有非常紧密的关联性，可延展柔性化设计也为氧化物材料和物理的研究提供了新的平台。本报告将介绍基于VO2、钙钛矿氧化物和氧化物/半导体异质结的可延展柔性器件的制备和性能调控，并讨论构建新型器件的可能性。

简 历：沈波，在日本东北大学获博士学位，北京大学长江教授、杰青、973项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。长期从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究，发表SCI论文三百多篇，论文被引用三千多次，获得/申请发明专利五十多件。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖和四项省部级奖项。
题 目：Si衬底上GaN基异质结构的外延生长和物性研究
摘 要：由于大失配、强极化的特性，Si衬底上GaN及其异质结构的外延生长和缺陷控制面临着一系列关键科学和技术问题。近几年来，我们系统研究了Si（111）、Si（110）和Si（100）衬底上GaN和 AlGaN/GaN异质结构的MOCVD外延生长，创新发展了“大失配诱导应力控制外延”方法，在Si(111)衬底上制备出高质量的8?m连续生长GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构，2DEG迁移率达到2240 cm2/V.s；在Si(110)衬底上也实现了高质量AlGaN/GaN异质结构的外延生长。创新发展了SiO2/graphene插入层技术，初步解决了Si(100)衬底上由于表面重构导致的两种等效畴混晶生长的难题，实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。在此基础上研究了GaN中C杂质的行为，第一次在GaN中观测和确认了CN替位杂质的两个局域振动模，确认C杂质在GaN中主要以CN形式存在。

简 历：王浩，湖北大学教授，湖北省"楚天学者计划"特聘教授，曾任上海交通大学教授、剑桥大学高级研究员。现任中国仪表功能材料学会副理事长，中国半导体三维集成制造产业联盟副理事长，中国稀土学会固体科学与新材料专委会委员，中国金属学会功能材料分会委员。主要研究方向为信息存储与探测材料、新能源材料、磁性材料。
题 目：有机/无机钙钛矿材料光电探测器
摘 要：近年来，由于有机/无机金属卤化物钙钛矿超快的电荷产生速率、高的吸收系数、良好的缺陷容忍度以及较大的载流子迁移率等，被广泛应用于高性能太阳能电池、发光二极管、光电探测器和激光器等领域。我们利用改进的实验方法，成功制备了较薄厚度（几乎单层的微米晶）的CsPbBr3微米晶薄膜，并成功构筑了高性能的自驱动光电探测器。通过液相合成和卤化物交换的组合方法制备CsPbBr3 纳米线，组装成了具有垂直p-i-n结构的自供电钙钛矿纳米线探测器；在473 nm激光照射下展示出低至4.0 nA cm-2的暗电流密度和高达22.9 mA cm-2的光电流密度，获得了较高的线性动态范围（135 dB）。通过在有序聚苯乙烯球模板的间隙内冷冻前体溶液的限域生长策略克服了溶解度低和晶体快速生长缺点，所得致密CsPbBr3多晶薄膜在化学计量调节后具有低陷阱密度(3.07×1012 cm-3)和高载流子迁移率(9.27 cm2?V-1?s-1)；实现了高达216 A?W-1的高响应度和超短响应时间(<5 μs)、7.55×1013检测限以及-3 dB时带宽3.1×105 Hz的记录。该工作为高品质全无机卤素钙钛矿多晶薄膜打开了大门，可将其扩展应用于更多光电器件，包括太阳能电池、存储器、光电极和射线探测器。

简 历：徐晨，北京工业大学信息学部教授，光电子技术教育部重点实验室主任，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员。研究方向：半导体光电子器件和材料。所研制的高亮度红光 LED 技术实现转让和批量生产，获北京市科学技术一等奖。
题 目：超构表面垂直腔面发射激光器研究
摘 要：垂直腔面发射激光器（VCSELs）具有低成本、单纵模、高调制速率及易于集成二维阵列等优势，在光通讯、光互联等领域得到了广泛应用。高光谱质量和高光束质量VCSELs，在传感、原子钟、激光雷达和面部识别等领域有很好的应用前景，是目前研究的热点。我们研究将超构表面引入到VCSELs中，调控激光器的波前；并结合器件结构，制备出远场发散角0.54°的超构表面垂直腔面发射激光器。研究基于超构表面和VCSEL的无衍射微型光源，利用超构表面轴棱锥，将VCSEL发出的高斯光，调控成零级贝塞尔光束，半峰全宽为1.4μm，聚焦深度为160μm。通过超构表面波前调控技术，成功将VCSEL出射光束偏转17.2°，为基于VCSEL的光束扫描技术提供新的研究方案。

简 历：杨中民，华南理工大学物理与光电学院院长，教育部长江学者，国家杰青。主要从事玻璃光纤、光纤激光与光纤传感等研究工作。获2010年广东省科学技术奖一等奖、2011年国家技术发明二等奖、2012年教育部技术发明一等奖、2014年国家技术发明二等奖、2018年广东省技术发明一等奖、何梁何利科技创新奖、南粤百杰以及南粤创新奖等。
题 目：高重复频率飞秒光纤激光及应用研究
摘 要：飞秒激光已广泛应用于工业加工、光谱测量、科学研究以及医疗等领域。本文概述了飞秒光纤激光的发展现状，介绍了高重复频率的飞秒光纤激光研究成果，并对其在超快测量等领域的应用进行了分析与展望。
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简 历：柳清菊，女，教授（二级），博士生导师，现任云南大学材料科学与工程学院院长，云南省微纳材料与技术重点实验室主任，入选教育部首批新世纪优秀人才支持计划、云岭学者、云南省中青年学术技术带头人，主要从事氧化物半导体材料及其应用技术的研究与开发工作。
题 目：高灵敏度、高选择性分子印迹气敏传感材料及器件
摘 要：选择识别性是传感器的一个重要参数。分子印迹技术被称为“分子钥匙的人工锁”技术，可针对被测物分子，设计出与之在形状、大小和官能团上均互补的传感材料，使材料具有专一识别性，并同时显著提高对待测气体的灵敏度。我们采用分子印迹技术结合湿化学方法，分别以甲醛、苯、二甲苯、丙酮、甲醇、乙醇等挥发性有机化合物为模板分子，制备了针对上述气体的高选择性有机/无机杂化气敏材料及传感器，并集成了包含多个检测单元的传感器阵列，可根据实际检测需求，实现一种到多种污染气体的同时检测，克服了传统器件灵敏度低、选择性差、检测气体单一等不足，可有效拓宽气敏传感器的应用。

简 历：缪向水，华中科技大学教授、教育部长江学者特聘教授，现任中国仪表功能材料学会副理事长、中国微米纳米技术学会常务理事、中国真空学会薄膜专委会委员，主要研究方向为信息存储材料和器件，曾获1992年1998年国家科技进步奖、2004年新加坡国家技术奖。
题 目：忆阻器材料及器件研究
摘 要：忆阻器是一种新型低功耗的信息存储与计算一体化器件，为构建突破冯?诺依曼瓶颈的新型计算机架构提供了一种崭新的思路和器件基础。本报告将介绍忆阻器的机理、制备及其材料特性的研究进展，并实现基于忆阻器的逻辑运算和类脑计算功能。

简 历：张进成，西安电子科技大学教授，长江学者特聘教授，万人计划领军人才，卓越青年基金获得者。现任西安电子科技大学科学研究院院长，宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任，宽禁带半导体技术国家级重点实验室副主任。曾获国家技术发明二等奖2项，省部级科技一等奖5项。主要研究方向为III族氮化物半导体材料与器件研究，超宽禁带半导体材料与器件。
题 目：AlGaN外延材料生长与器件研究
摘 要：半导体禁带宽度的提高, 会使得材料击穿场强及耐高温特性显著提高。相比于常规AlGaN/GaN器件，AlGaN基超宽禁带半导体器件具有更高的耐压和耐高温特性。不过AlGaN外延材料缺陷密度高、载流子输运特性差等问题严重制约了器件的发展。为此近年来我们首先提出了梯形图形化GaN基底（TPGTs）上AlGaN异质外延方法，通过选区生长方法获得低位错密度的梯形图形化GaN基底，并在其上通过超短周期AlN/GaN超晶格结构来外延高质量的AlGaN材料。通过在高质量GaN异质外延层上外延全应变的渐变AlGaN缓冲层和AlGaN沟道层的器件材料层结构，开发出一种高性能的合金AlGaN沟道HEMT器件实现方法，该AlGaN沟道HEMT器件在饱和电流密度、栅漏电、关态漏电流、开关比和击穿电压等方面表现出比GaN沟道HEMT器件更加优良的特性。同时提出一种高性能的超晶格AlGaN沟道HEMT器件结构，该器件利用AlN/GaN超晶格Al0.10Ga0.90N代替传统的合金Al0.10Ga0.90N作为HEMT器件的沟道层，很大程度提高了AlGaN材料的合金有序性，使得沟道电子迁移率得到极大提升。

简历：林文雄，中科院福建物质结构研究所副所长，国家光电子晶体材料工程中心主任。国家万人计划创新领军人才，科技部人才推进计划重点领域创新团队负责人，国家重点研发计划项目首席，第一完成人获得国家科技进步二等奖。
题 目：气相法生长大尺寸自支撑任意晶向多孔GaN单晶晶片
摘 要：GaN技术研究是当前国际上半导体领域的前沿和热点。目前生长高质量GaN体单晶仍然困难，且价格高昂、欠缺大尺寸非极性衬底。GaN基器件一般沿极性方向异质外延导致应力和产生高密度缺陷，使器件寿命和性能受到很大影响。该极性造成“量子限制斯塔克效应”（QCSE），使极性LED以及紫外、绿光LD的发光效率下降，限制其向大功率方向发展。非极性GaN光电器件可以很大程度上消除QCSE造成的不良影响，而且还具有更宽范围的发光波长、偏振光发射、功耗较低等优点。用于高速光通信LiFi的非极性GaN基LED和SLD具有比极性更宽的调制带宽。目前，国际上快速发展的第三代半导体GaN应用需求亟需大尺寸、优质极性与非极性衬底制备技术。我们提出创新性的技术路线，采用气相法生长大尺寸任意晶向（如极性c面，非极性m面和a面等）的自支撑多孔GaN单晶晶片，该多孔晶片是由连通纳米孔和纳米壁构成的体块，其具有体块单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特征，可为GaN基器件提供一种新型同质且具有图案化纳米孔的优质衬底。基于上述低成本、无应力自支撑多孔GaN单晶晶体生长技术，有望为第三代半导体产业提供大尺寸非极性、低缺陷密度的衬底材料。

简 历：徐科，江苏第三代半导体产业研究院，院长；中国科学院苏州纳米研究员，杰青、国家特聘专家。长期从事氮化物材料生长研究，曾荣获“求是杰出青年奖”、全国产学研合作创新成果奖，科技部战略性先进电子材料专家组专家，中国电子学会高级会员、电子材料专业委员会副主任委员。
题 目：氮化物半导体产业发展趋势和氮化镓单晶生长研究进展
摘 要：III族氮化物半导体材料具有优异的光电特性，过去15年在半导体照明领域取得巨大成功，目前正在向超越照明发展，将带来照明、显示与通信的融合发展，同时氮化镓也是宽带微波通信的关键材料，而且也在高效率电力电子器件领域展示了非常好的应用前景。过去三十年的氮化物半导体都是基于异质外延生长来制备器件，材料的缺陷密度每平方厘米达到几亿个，大致是每个平方微米都有一个线位错。随着对氮化物器件性能提升的要求，器件尺寸的减小，发展高质量的氮化镓材料成为产业发展的关键。开展大尺寸高质量的氮化镓单晶逐渐受到产业界的关注。在综述氮化镓单晶生长进展的基础上，对比分析了两种主要的方法即气相法和液相法，报告了我们在2～6英寸的氮化镓单晶生长的主要进展，包括材料的掺杂调控与同质外延生长，并对III族氮化物同质外延技术在未来光电子和电子器件的应用前景和产业发展趋势进行展望分析。

简 历：秦勇，教育部长江学者特聘教授，国家“万人计划”中青年科技创新领军人才，“万人计划”青年拔尖人才，国家优秀青年科学基金获得者。从事纳米能源技术、功能纳米器件与自驱动纳米系统领域的研究。发表论文八十余篇，在Nature和Nature Nanotechnology等子刊上发表论文4篇，论文被引用五千余次，单篇论文最高被引用1060次。2009 年获得美国陶瓷学会授予的世界陶瓷研究领域年度最有价值贡献奖-Ross Coffin Purdy 奖，2017年获得Elsevier颁发的首届纳米能源奖(Nano Energy Award)。
题 目：Flexible Nanogenerators and ZnO nanosensors 
摘 要：Power is the urgent demand for the fast-developing wearable sensors, implantable biosensors, things of internet and other micro/nano sensors network. Energy harvesting technology gives a promising way for the power challenge. In this presentation, the development progress of nanogenerator will be talked firstly, and then some works on fiber-based nanogenerator, AC ZnO nanowire nanogenerator, integrated ZnO nanowire nanogenerator, ferroelectric piezoelectric nanowire nanogenerator, non-contact mechanical energy harvesting nanogenerator, implantable nanogenerator and some new developed nanogenerators will be talked. Finally, some high sensitivity ZnO nanowire UV sensors, high sensitivity pressure nanosensors based on ZnO nanoplatelets and piezotronic effect will be talked.